高盛：DRAM/NAND/HBM 供需紧张延续至 2028 存储市盈率仍低估

高盛 5 月 31 日发布存储行业重磅研报，预计到 2027 年传统 DRAM、NAND 与高带宽 HBM 三大品类的供需状况都将比 2026 年更为紧张，并将这种紧张态势延续至 2028 年。报告核心论点是"市场尚未充分认识到当前存储器上行周期的持久性"——表现是大多数存储类股的市盈率仍处于个位数中低段，反映出投资者仍按传统周期思维定价。高盛认为，AI 训练对 HBM3E/HBM4 的边际需求、企业级 SSD 在数据中心的扩张、以及智能手机内存容量升级（顶级机型已普及 16-24GB），共同推动存储进入"超级周期"。同日 A 股存储板块出现资金调仓：长鑫存储一季利润 330 亿超过科创 50 总和两倍，美光 5 月单月翻倍至万亿市值、戴尔 AI 服务器收入同比飙升 757%。值得提醒的是，高频 capex 数据显示三星、海力士、美光 2026 年总投资上调 12-18%，意味着供给端 2027 下半年可能再次松动，配置上需要节奏感。