全球半导体彻底爆发 沪指放量站上 4,200 点 创 2015 年来新高

A 股周一三大指数集体高开，沪指重回 4,200 点关键位，收报 4,225.02 点涨 1.08%，创 2015 年 7 月以来新高；深成指 +2.16%，创业板指 +3.5%。全市场超 3,100 只个股上涨，连续四日超百股涨停。沪深两市成交额 3.54 万亿元，连续 4 个交易日突破 3 万亿，较前一日放量 4,903 亿。本轮 A 股突破的引线在海外——上周五美股费城半导体指数大涨超 5%，年内累计涨 66.25%；今日早盘 SK 海力士股价飙涨 12%、总市值破 9,000 亿美元；三星电子涨超 7%，二者均创历史新高；铠侠控股涨超 11%；KOSPI 涨 4.26%。A 股半导体板块同步爆发，长川科技 20CM 涨停、澜起科技 +18.52%、江波龙 +15.97%。供需层面，自 2 月底中东冲突爆发以来 DRAM、NAND 现货价分别上涨 25% 与 18%——韩国厂商占全球存储 60% 以上供给，海运受阻 + AI 服务器 HBM 抢占产能 + 主要厂商前两年缩资本支出，三重共振造就缺口。高盛已将 2026 年 DRAM 价格涨幅预测从 ~150% 上调至 250%–280%，瑞银更喊「近三十年未见的存储超级周期」，预测 DRAM 缺口持续至 2027 年 Q4。